Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 2: Poster I

HL 2.101: Poster

Montag, 23. März 1998, 10:30–19:00, A

MBE Wachstum und Charakterisierung von selbstordnenden InAs Quantenpunkten auf GaAs — •C. Bock, M. Versen, K. Schmidt und U. Kunze — Lehrstuhl für Werkstoffe der Elektrotechnik, Ruhr Universität Bochum, Universitätsstraße 150/IC2, D-44780 Bochum

Durch Molekularstrahlepitaxie werden selbstorganisierende InAs Quantenpunkte auf einem GaAs Substrat hergestellt. Der Einfluß verschiedener Wachstumsparameter auf deren Größen- und Dichteverteilung wird mit Rastersonden- und Rasterelektronenmikrokopie untersucht. Während die höhensensitive Rastersondenmikroskopie Informationen über die Dichte und die Höhe der Quantenpunkte liefert, läßt sich mit der materialsensitiven Rasterelektronenmikroskopie die laterale Ausdehnung bestimmen. Durch das Überwachsen mit GaAs tritt eine Formveränderung der Quantenpunkte auf, deren elektronische Struktur mit verschiedenen optischen und elektronischen Meßmethoden charakterisiert und diskutiert wird.