Regensburg 1998 – scientific programme
Parts | Days | Selection | Search | Downloads | Help
HL: Halbleiterphysik
HL 2: Poster I
HL 2.102: Poster
Monday, March 23, 1998, 10:30–19:00, A
Charakterisierung der Tunnelbarrieren in direkt epitaktisch gewachsenen Quantendots — •J. Regul1, P. König1, R.J. Haug1, M. Dilger2, and K. Eberl2 — 1Inst. f. Festk"orperphysik, Universit"at Hannover, Appelstr. 12, D-30167 Hannover — 2MPI f. Festk"orperforschung, Stuttgart, Heisenbergstr. 1, D-70569 Stuttgart
Wir stellen die Ergebnisse der Messungen zur Charakterisierung der Tunnelbarrieren in epitaktisch gewachsenen Quantendots mit In-Plane-Gate Struktur vor [1]. Die Tunnelbarrieren bilden sich direkt während des Wachstums. Die Höhe und Breite der Barrieren wird durch die Spannungen an den Seiten- und Backgates beeinflu"st. Die im linearen Transportregime gemessenen Coulombblockade-Oszillationen lassen Rückschlüsse auf die kapazitive Ankopplung der Seiten- und Backgates zu. Durch Variation der Backgatespannung und des senkrecht zur Stromrichtung angelegten Magnetfeldes im nichtlinearen Magnetotransportregime wurde eine Analyse der Tunnelbarrieren vorgenommen. Die gemessenen Daten wurden an ein WKB-Modell angepa"st und ergeben das Verhältnis von Barrierenhöhe zu Barrierenbreite und spezifizieren so den Einflu"s der Spannungen an den Seiten- und Backgates auf die Tunnelbarrieren.
[1] M. Dilger et al. , Appl. Phys. Lett. 68(22), 3132 (1996)