Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 2: Poster I

HL 2.103: Poster

Montag, 23. März 1998, 10:30–19:00, A

Einzelelektronentunneln durch einen Doppelquantenfilm-SET — •P. Hullmann¹, R. J. Haug¹, M. Dilger² und K. Eberl² — ¹Institut für Festkörperphysik, Universität Hannover, Appelstr. 2, D-30167 Hannover — ²Max-Planck-Institut für Festkörperforschung, Heisenbergstr. 1, D-70569 Stuttgart

Aus einer GaAs/AlGaAs-Heterostruktur mit zwei parallelen zweidimensionalen Elektronengasen (2DEG) wurden durch Trockenätzen Einzelelektronentransistoren (SET) mit einem Durchmesser von 1.3 µ m und benachbarten Gates hergestellt. Es wurden zwei Heterostrukturen mit 2DEG-Abständen von 5 nm und 20 nm verwendet, wobei bei ersterer die Elektronengase durch Tunneln gekoppelt sind.

Zur Charakterisierung der Strukturen wurden AC und DC-Transportmessungen bei Temperaturen < 100 mK durchgeführt. Die Proben zeigen Coulomb-Blockade-Oszillationen mit aperiodischen Positionen der Leitwertmaxima und vom 1/cosh²-Verhalten einfacher SETs abweichender, asymmetrischer Linienform.