Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

HL: Halbleiterphysik

HL 2: Poster I

HL 2.11: Poster

Montag, 23. März 1998, 10:30–19:00, A

Atomare Struktur und elektronische Eigenschaften von
Al_xGa_1−xN Mischkristallen — •J. Fritsch^1,2, O.F. Sankey², K.E. Schmidt² und J.P. Page² — ¹Institut für Theoretische Physik, Universität Regensburg, 93040 Regensburg — ²Department of Physics and Astronomy, Arizona State University, Tempe, AZ 85287-1504, USA

Mit Hilfe von Dichtefunktionalrechnungen untersuchen wir die Bindungslängen, Gitterkonstanten und Bandlückenenergien in geordneten und ungeordneten Al_xGa_1−xN Mischkristallen mit Wurtzitstruktur. Der verwendete Formalismus stützt sich auf die lokale Dichtenäherung, normerhaltende Pseudopotentiale und einen LCAO-Ansatz zur Entwicklung der elektronischen Wellenfunktionen. Die Minimierung der Gesamtenergie als Funktion der Gitterkonstanten und Relaxation innerer Freiheitsgrade zeigt, daß sich die Gitterkonstanten a und c in geordneten und ungeordneten Mischkristallen nahezu linear mit dem Kompositionsparameter x in Al_xGa_1−xN ändern. Jedoch bleiben die N-Ga- und N-Al-Bindungslängen im Vergleich zu den entsprechenden Abständen in reinem GaN beziehungsweise AlN nahezu unverändert. Für ungeordnete Mischkristalle erhalten wir eine geringfügige Abwärtsverbiegung der Bandlückenenergie, während sich in Überstrukturen eine lineare Änderung mit dem Kompositionsparameter x ergibt.