Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 2: Poster I

HL 2.110: Poster

Montag, 23. März 1998, 10:30–19:00, A

Realstrukturuntersuchungen an InAs/InGaAs/GaAs Quantenpunktsystemen — •A. Krost¹, F. Heinrichsdorff¹, D. Bimberg¹, J. Bläsing², A.O. Kosogov³ und P. Werner³ — ¹Institut für Festkörperphysik, TU-Berlin, Hardenbergstr. 36, 10623 Berlin — ²Institut für experimentelle Physik, Otto-von-Guericke Universität, Postfach 21420, 39016 Magdeburg — ³Max-Planck-Institut für Mikrostrukturphysik, Weinberg 2, 06120 Halle

Wir berichten über TEM- und Röntgenuntersuchungen an einem perfekten, mittels metallorganischer Gasphasenepitaxie hergestellten 15-fach (InAs/InGaAs/GaAs) Quantenpunktübergitter. Die Struktur enthält sehr flache InAs/InGaAs Quantenpunkte mit einer Basislänge von ca. 10 nm und 1.8 nm Höhe. Aufgrund des Barrierenabstandes von 21 nm GaAs wird keine vertikale Korrelation der Quantenpunkte beobachtet. Die Rockingkurven an symmetrischen und verschiedenen asymmetrischen Reflexen lassen sich im wesentlichen im Rahmen der dynamischen Theorie unter Zugrundelegung eines tetragonal verspannten Schichtsystems simulieren. Polfigurmessungen an den (113) und (022) Reflexen zeigen eine ausgeprägte Anisotropie der diffusen Streuung bezüglich der [110] und [110] Richtungen, welche wir aufgrund von TEM-Untersuchungen nicht auf die Quantenpunkte, sondern auf eine anisotrope Korrugation der Deckschichten zurückführen. Diese strukturelle Anistropie spiegelt sich wider in bis zu 50 % Unterschied in den Schwellstromdichten von Quantenpunktlasern entlang [110] und [110].