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HL: Halbleiterphysik

HL 2: Poster I

HL 2.112: Poster

Montag, 23. März 1998, 10:30–19:00, A

Herstellung und optische Charakterisierung von AlSb/GaSb Quantendrahtstrukturen — •Ralph Werner, T. Wang, J. Koeth und A. Forchel — Technische Physik, Universität Würzburg, Am Hubland, D-97074 Würzburg

Mittels MBE-Wachstum wurden Al(Ga)Sb/GaSb Quantenfilmschichten mit Schichtdicken von bis zu 5nm hergestellt. Diese Schichten zeigen sehr schmale Photolumineszenz-Halbwertsbreite. Durch Elektronenstrahllitographie und niederenergetischem ECR-RIE-Trockenätzverfahren wurden Drahtstrukturen mit einer Stegbreite von bis zu 30nm hergestellt. Die Strukturen wurden mit einem Cl₂/Ar Plasma bei Biasspannungen von bis zu 50V trockenchemisch hergestellt. Auch bei diesen niedrigen Ionenenergien zeigen die Strukturen senkrechte Flanken und gute Oberflächenmorphologie. Optische Aktivität wird bis zu den kleinsten Drahtbreiten beobachtet. Die optischen Spektren der Drahtstrukturen nach Anregung in der aktiven GaSb-Schicht und nach Barrierenanregung werden im Hinblick auf laterale Quantisierungseffekte diskutiert.