Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 2: Poster I

HL 2.113: Poster

Montag, 23. März 1998, 10:30–19:00, A

Transport in undotierten GaAs/AlGaAs-Heterostrukturen mit feinstruktuierten Gates — •Jens Herfort^1,2, David G. Austing³ und Yoshiro Hirayama³ — ¹NTT Basic Research Lab., 3-1 Morinosato Wakamiya, Atsugi, Kanagawa 243, Japan — ²Paul-Drude-Institut f. Festkörperelektronik, Hausvogteiplatz 5-7, 10110 Berlin — ³NTT Basic Research Lab., 3-1 Morinosato Wakamiya, Atsugi, Kana gawa 243, Japan

Ein neuer Ansatz um quasi-eindimensionale Elektronengase mit hohen Ladungsträgerdichten zu realisieren wird studiert. Das quasi-eindimensionale Elektronengas wird durch ein schmales Oberflächengate mittel Feldeffekt induziert. Die Elektronen werden von ionenimplantierten Gebieten extrahiert. Die quasi-eindimensionalen Elektronengase werden mit Hilfe von Magnetotransportuntersuchungen charakterisiert. Die quasi-eindimensionale Natur des Transports manifestiert sich in der beobachteteten Depopulation der eindimensionalen Subbänder in einem Magnetfeld senkrecht zur Heterogrenzfläche. Es wird ein Modell vorgeschlagen, um eine realistische Abschätzung der Ladungsträgerdichteverteilung unter dem Gate zu erhalten und die effektive Weite der eindimensionalen Elektronengases zu bestimmen. Diese effektive Weite ist vergleichbar zur Struktuierungs- weite des Gates. Abschließend wird die Anwendbarkeit dieses Ansatzes zum Design verschiedenartiger Strukturen zum Studium eindimensionaler, lateraler Kopplung zwischen Elektronen demonstriert.