Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 2: Poster I

HL 2.117: Poster

Montag, 23. März 1998, 10:30–19:00, A

Photospannungs- und Photolumineszenz- in−situ -Untersuchungen am c-Si/Elektrolyt System — •Thomas Dittrich¹, Viktor Timoshenko² und Jörg Rappich³ — ¹Physik Department E16, Technische Universität München, 85748 Garching — ²Moscow State University, Physics Department, 119899 Moscow — ³Hahn-Meitner-Institut, Abt. Photovoltaik, Rudower Chaussee 5, 12489 Berlin

Photospannung und Photolumineszenz geben Aussagen über die Bandverbiegung und über die Oberflächenrekombinationsgeschwindigkeit. Diese Methoden reagieren also empfindlich auf Änderungen des Ladungstransfers und der Bindungsverhältnisse an Halbleitergrenzflächen und sind deshalb für Untersuchungen an Halbleiter/Elektrolyt-Grenzflächen prädestiniert. Die Anregung von Photospannung und Photolumineszenz erfolgt stroboskopisch mit kurzen Laserimpulsen bei Photonenenergien von 1.4 bzw 3.7 eV. Die Leistungsfähigkeit der Methoden wird anhand des c-Si/NH₄F Systems in den Regimen der anodischen Oxidation, des Oxidabtrags und der elektrochemischen Wasserstoffpassivierung demonstriert.