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Regensburg 1998 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 2: Poster I

HL 2.117: Poster

Monday, March 23, 1998, 10:30–19:00, A

Photospannungs- und Photolumineszenz- insitu -Untersuchungen am c-Si/Elektrolyt System — •Thomas Dittrich1, Viktor Timoshenko2 und Jörg Rappich31Physik Department E16, Technische Universität München, 85748 Garching — 2Moscow State University, Physics Department, 119899 Moscow — 3Hahn-Meitner-Institut, Abt. Photovoltaik, Rudower Chaussee 5, 12489 Berlin

Photospannung und Photolumineszenz geben Aussagen über die Bandverbiegung und über die Oberflächenrekombinationsgeschwindigkeit. Diese Methoden reagieren also empfindlich auf Änderungen des Ladungstransfers und der Bindungsverhältnisse an Halbleitergrenzflächen und sind deshalb für Untersuchungen an Halbleiter/Elektrolyt-Grenzflächen prädestiniert. Die Anregung von Photospannung und Photolumineszenz erfolgt stroboskopisch mit kurzen Laserimpulsen bei Photonenenergien von 1.4 bzw 3.7 eV. Die Leistungsfähigkeit der Methoden wird anhand des c-Si/NH4F Systems in den Regimen der anodischen Oxidation, des Oxidabtrags und der elektrochemischen Wasserstoffpassivierung demonstriert.

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