Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 2: Poster I

HL 2.119: Poster

Montag, 23. März 1998, 10:30–19:00, A

Elektronische Struktur der 3C–SiC(111)–(3×3) Rekonstruktion — •H. Hüsken, B. Schröter und Wo. Richter — Institut für Festkörperphysik, FSU Jena, Max–Wien–Platz 1, 07743 Jena

Die elektronische Struktur der Si–reichen, (3×3)–rekonstruierten 3C–SiC(111)–Oberfläche wurde mittels winkelaufgelöster UPS untersucht. Unsere Proben waren epitaktische Schichten, die mittels Feststoffquellen–MBE gewachsen wurden[1].
Abweichend von der einfachen Elektronenabzählregel wurde für diese Rekonstruktion eine halbleitende Oberflächenbandstruktur beobachtet, wie sie auch für die Si–reiche (√3 × √3)R30^∘ Rekonstruktion berichtet wurde[2].
Wir finden einen weitgehend dispersionslosen Zustand im fundamentalen Gap bei einer Bindungsenergie von 0.5eV. Weitere beobachtete Gapzustände zeigen deutliche Dispersion mit dem Wellenvektor k_||^→ parallel zur Oberfläche.

[1] A. Fissel et al., Diam.Rel.Mat. 6, 1316

[2] L.I. Johansson et al., Surf.Sci. 360, L478