Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 2: Poster I

HL 2.120: Poster

Montag, 23. März 1998, 10:30–19:00, A

Rastersensormikroskopische Untersuchung von InAs(100) Oberflächen nach Oxiddesorption — •W. Naumann, M. Schäfer, M. Hannß, A. Dutschke, K. Oehlstrom, T. Finnberg, T. Franke und R. Anton — Institut für Angewandte Physik und Zentrum für Mikrostrukturforschung, Universität Hamburg, Jungiusstraße 11, 20355 Hamburg

Untersucht wurde die Beschaffenheit von InAs(100) Oberflächen nach Präparation durch UV-Ozon Oxidation mit anschließender Desorption unter Arsengegendruck im UHV.

Das STM ist in ein UHV-Verbundsystem integriert, bestehend aus MBE/RHEED-, XPS/UPS- und STM-Anlage. Dadurch war ein kontaminationsfreier Transporte der Proben zwischen der MBE-Anlage und dem STM möglich. Die AFM Untersuchungen erfolgten unter Umgebungsbedingungen.

Es wurden Zusammenhänge zwischen den Prozessparametern Abheiztemperatur und Arsengegendruck und der Beschaffenheit der InAs(100) Oberfläche untersucht. Beobachtet wurde neben der bekannten Ausbildung von kraterähnlichen Löchern bei zu geringen Arsenflußraten das Zurückbleiben von kugelförmigen Oxidpartikeln im Falle zu geringer Heiztemperaturen. Weiterhin konnte eine anisotrope Lage der InAs-Inseln entlang der [110]-Richtung beobachtet werden.