Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 2: Poster I

HL 2.122: Poster

Montag, 23. März 1998, 10:30–19:00, A

XPS/UPS-Untersuchungen zur Präparation oxidfreier InAs(100)-Oberflächen — •T. Finnberg, M. Schäfer, K. Oehlstrom, T. Franke, W. Naumann, M. Hannss, A. Dutschke und R. Anton — Institut für Angewandte Physik und Zentrum für Mikrostrukturforschung, Universität Hamburg, Jungiusstr. 11, 20355 Hamburg

Ein grundlegendes Ziel in der Präparation mikrostrukturierter Halbleiter ist die Herstellung kontaminationsfreier Oberflächen.

In unserer Arbeit sollte bei p-dotiertem InAs der Einfluß einer Kontamination auf die Ausbildung der erwarteten Inversionschicht untersucht werden.

Hierzu wurden kommerzielle p-dotierte InAs(100)-Wafer nach einem naßchemischen Ätzprozess einer UV-Ozon-Behandlung unterzogen und das erzeugte Oxid in einer MBE-Kammer unter Arsen-Gegendruck desorbiert. Dabei wurden der Arsen-Partialdruck und die Endtemperatur des Desorptionsprozesses variiert.

Nach einem in-vacuo-Transfer wurden die Proben mit XPS/UPS im Hinblick auf ihre Stöchiometrie, ihren Kontaminationsgrad und ihre elektronische Struktur untersucht.