Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 2: Poster I

HL 2.124: Poster

Montag, 23. März 1998, 10:30–19:00, A

Untersuchungen zur Anisotropie des MBE-Wachstums von [001]-GaAs — •K. Oehlstrom, T. Franke, M. Hannss, W. Naumann und R. Anton — Institut für Angewandte Physik und Zentrum für Mikrostrukturforschung, Universität Hamburg, Jungiusstr.11, 20355 Hamburg

Bei molekularstrahlepitaktisch gewachsenen Arsen-stabilisierten GaAs [001]-Oberflächen zeigt sich in rasterkraftmikroskopischen (AFM) Aufnahmen eine Anisotropie der Inselgrößen hinsichtlich der [110]- und der [110]-Richtung. Das zu dieser Anisotropie führende Wachstum wurde in Abhängigkeit der Prozessparameter Materialfluß und Substrattemperatur untersucht. Dazu wurden die bei in-situ RHEED beobachteten Oszillationen des Spekularstrahles analysiert. Die Ergebnisse werden mit ex-situ AFM-Untersuchungen verglichen und im Zusammenhang mit den Bindungs- und Stufenkantenanisotropien der GaAs [001]-Oberfläche diskutiert.