Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm
Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe
HL: Halbleiterphysik
HL 2: Poster I
HL 2.125: Poster
Montag, 23. März 1998, 10:30–19:00, A
Infrarotspektroskopie der thermisch angeregten, strukturellen Ver"anderungen von Tunnelisolatoren in Al/SiOx/p-Si-Dioden — •A. Bierhals, A. G. Aberle, and R. Hezel — Institut f"ur Solarenergieforschung Hameln-Emmerthal, Au"senstelle Hannover, Sokelantstr. 5, D-30165 Hannover
Eine thermische Belastung von Al/SiOx/p-Si-Dioden bei ca. 250∘C f"uhrt innerhalb weniger Minuten zur Degradation der elektrischen Eigenschaften. Dieses Ph"anomen wurde bereits mehrfach untersucht [1, 2], zu dessen Erkl"arung diente dabei die bekannte Reduktion von SiOx durch Al [3]. In der vorliegenden Arbeit wurden Al/SiOx/p-Si-Dioden sukzessive bei ca. 250∘C getempert und dabei mit einem in [4] entwickelten Spektroskopieverfahren beobachtet. Dabei entstand ein neues Modell, welches die elektrische Degradation der Dioden auf Bildung metallischer Al-Spikes durch den Isolator zur"uckf"uhrt. Die parallel ablaufende Reduktion des SiOx durch Al kann durch einen Zwei-Stufen-Proze"s modelliert werden und hat keine negativen Auswirkungen auf die elektrische Charakteristik. Das neue Modell kann alle bei der Infrarotspektroskopie aufgetretenen Effekte konsistent erkl"aren.
[1] R. B. Godfrey, M. A. Green, Appl. Phys. Lett. 34, 861 (1979)
[2] R. Brendel, R. Hezel, J. Appl. Phys. 71, 4377 (1992)
[3] A. E. Gershinskii et al., Phys. Stat. Sol. (a) 74, 645 (1974)
[4] R. Brendel, Appl. Phys. A 50, 587 (1990)