Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 2: Poster I

HL 2.126: Poster

Montag, 23. März 1998, 10:30–19:00, A

Photolumineszenzmessungen an Sulfid-passivierten Oberflächen von III-V Halbleitern — •M. Friedrich, N.M. Binh und D.R.T. Zahn — Institut für Physik, Professur für Halbleiterphysik, TU Chemnitz, D-09107 Chemnitz

Es wird der Einflua einer Oberflächenbehandlung mit alkoholischen und wäßrigen Lösungen von Ammoniumsulfid und Natriumsulfid auf die Photolumineszenz von GaAs und InP untersucht. Alle Lumineszenzspektren wurden mit einem FTIR Spektrometer IFS66 gemessen. Zur Anregung wurden die 514nm-Linie eines Ar⁺ oder die 530nm-Linie eines Kr⁺ Lasers verwendet. Die Laserleistung am Probenort betrug maximal 100mW bei einer Leistungsdichte von etwa 3Wcm⁻² . Ziel der Behandlung ist die Verbesserung der Oberflächeneigenschaften, d. h. der Abbau der natürlichen Oxidschicht, sowie die nachfolgende Oberflächenpassivierung mit einer Sulfidschicht. Für GaAs erhöht sich die Photolumineszenz mit der Verringerung der Dielektrizitätskonstanten des verwendeten Lösungsmittels. Die Veränderung der Lumineszenz wird in Abhängigkeit von der Reaktivität der Schwefelionen, der Dielektrizitätskonstanten des verwendeten Lösungsmittels, sowie der Veränderung der Oberflächenrekombinationsrate diskutiert.