Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 2: Poster I

HL 2.127: Poster

Montag, 23. März 1998, 10:30–19:00, A

Spektralellipsometrischer Vergleich der natürlichen Oxide von Si und β-FeSi₂ — •M. Rebien, H. Angermann, P. Stauß und W. Henrion — Hahn-Meitner-Institut, Abt. Photovoltaik, Rudower Chaussee 5, 12489 Berlin

Aufgrund der Empfindlichkeit der spektralen Ellipsometrie gegenüber Deckschichten ist die Charakterisierung des wenige Monolagen dicken, nativen Oxids möglich.
Atomar glatte, H-terminierte bzw. in HF-Lösung aufgerauhte Si-Wafer sowie epitaktische β-FeSi₂-MBE-Schichten auf Si wurden direkt nach der Präparation und nach Lagerung an Luft im Spektralbereich 1–4,5 eV untersucht. Zusätzlich wurde bereits oxidiertes β-FeSi₂ nach kurzer Ätzung vermessen. In allen Fällen ist der spektrale Einfluß der Oxidschicht durch eine planparallele SiO₂-Schicht modellierbar. Hiermit wurde für β-FeSi₂ der korrekte Datensatz der optischen Konstanten ermittelt.
Zur Untersuchung der Oxidationskinetik wurde das Modell einer SiO₂- bzw. SiO-Schicht auf Si bzw. β-FeSi₂ verwendet. Anfänglich nimmt die Oxiddicke linear mit der Zeit zu. Unterschiede der Oxidationsrate sind auf verschiedene Grade der Oberflächenpassivierung zurückzuführen. Nach dem Wachstum von etwa 2 Monolagen Oxid resultieren bei Si und β-FeSi₂ identische zeitliche Verläufe.