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HL: Halbleiterphysik
HL 2: Poster I
HL 2.128: Poster
Montag, 23. März 1998, 10:30–19:00, A
Elektronische und optische Eigenschaften von GaAs(100)-passivierten Oberflächen — •A. Ivankov und W. Bauhofer — AB Materialien der Mikroelektronik, TU Hamburg–Harburg, Martin–Leuschel–Ring 16, D–21073 Hamburg
Mit der Kelvin-Methode wurde die Änderung der Austrittsarbeit von n- und
p-GaAs(100)-Oberflächen
nach der Passivierung in Na2S bzw.
(NH4)2S–Lösungen
für verschiedene Lösungsmittel untersucht.
Die Lösungsmittel haben einen starken Einfluß auf die elektronischen
Eigenschaften
der passivierten GaAs-Oberflächen.
Die optischen Eigenschaften von GaAs nach der Passivierung in
verschiedenen sulfidischen Lösungen werden verglichen.