Regensburg 1998 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 2: Poster I

HL 2.129: Poster

Monday, March 23, 1998, 10:30–19:00, A

Charakterisierung der Grenzfl"achen von oxidierten CoSi₂-Schichten auf Si mittles R"ontgenreflektivi"at — •I.D. Kaendler¹, J.-P. Schlomka¹, M. Tolan¹, J. Stettner¹, W. Press¹, L. Kappius², and S. Mantl² — ¹Institut f"ur Experimentelle und Angewandte Physik, Universit"at Kiel, D-24098 Kiel
— ²Institut f"ur Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum J"ulich
Lokale Oxidation[1] ist ein neues Verfahren zur Herstellung von Mikrostrukturen in CoSi₂/Si Systemen, wobei die Grenzfl"achenrauhigkeit eine wesentliche Rolle spielt. Es wurden auf Si 300Å dicke CoSi₂ Schichten mittels Allotaxie[2] aufgebracht. Durch anschlie"sende Na"s-Oxidation wurden Oxidschichtdicken zwischen 800 und 3000Å pr"apariert.
Mittels R"ontgenstreuung im Bereich der Totalreflexion (spekul"are Reflektivit"at und diffuse Streuung[3]) wurden die Grenzfl"achenrauhigkeiten der verschiedenen Oxidationsstadien untersucht. Modellrechnungen (Paratt Rekursion, DWBA) zu diesen Messungen erlauben Aussagen "uber die rms-Rauhigkeit und die laterale Struktur der Grenzfl"achen.
Dieses Projekt wird gef"ordert von der VW-Stiftung unter Projekt Nr. I/71128.

[1] S. Mantl et al.; Appl.Phys.Lett. 67 (1995) 3459.

[2] S. Mantl, H.L. Bay; Appl.Phys.Lett. 61 (1992) 267.

[3] J.Stettner et al.; Phys.Rev.B 53 (1996) 1398.