Regensburg 1998 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 2: Poster I

HL 2.12: Poster

Monday, March 23, 1998, 10:30–19:00, A

Bestimmung der Dielektrischen Funktion von hexagonalem GaN auf GaAs mittels spektroskopischer Ellipsometrie — •J. Scheiner¹, S. Shokhovets¹, R. Goldhahn¹, G. Gobsch¹, T.S. Cheng² und C.T. Foxon² — ¹TU Ilmenau, Institut für Physik, PF 100565, D-98684 Ilmenau, Germany — ²Department of Physics, University of Nottingham, Nottingham NG7 2RD, UK

Hexagonales GaN wurde mittels MBE auf GaAs bei Variation verschiedener Prozeßparameter gewachsen. Diese Proben wurden ex situ mit spektroskopischer Ellipsometrie in einem Spektralbereich von 1.5 eV bis 4.5 eV untersucht. Die Schichtdicken der untersuchten Proben liegen im Bereich von 400 bis 1000 nm. In einem Multi-Sample-Fit wird die dielektrische Funktion der GaN-Schichten bestimmt. Die nichtidealen Grenzflächen können im Rahmen der Effektiven Medien-Approximation in einem Vielschichtmodell berücksichtigt werden. Zusätzlich werden Messungen der durch die Grenzflächen verursachten Depolarisation des Meßlichtes durchgeführt und beim Fit berücksichtigt. Die gewonnenen Ergebnisse werden mit Daten aus Reflexionsmessungen verglichen.