Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 2: Poster I

HL 2.13: Poster

Montag, 23. März 1998, 10:30–19:00, A

Messung der Stickstoffbelegung von nitridierten Saphirwafern mit hochauflösender ERD — •S. Karsch¹, O. Ambacher², A. Bergmaier¹, G. Dollinger¹, C.M. Frey¹, O. Schmelmer¹ und M. Stutzmann² — ¹TU München, Physik-Department E12, James-Franck-Straße, 85748 Garching — ²Walter Schottky Institut, TU München, Am Coulombwall, 85748 Garching

Mittels hochauflösender ERD ist es möglich, tiefenabhängige Konzentrationsprofile mit Auflösungen besser als 1 nm quantitativ zu vermessen. Im MOCVD-Prozeß zur Abscheidung von Gruppe-III-Nitridschichten wird üblicherweise mit der Zuleitung von Ammoniak in den Reaktor die Abscheidung begonnen. Dabei ist unklar, ob durch Reaktionen der Ammoniakmoleküle mit dem heißen Saphirsubstrat an der Probenoberfläche eine dünne AlN-Schicht gebildet wird, die das Bekeimungsverhalten beeinflußt. Zur Untersuchung dieses Sachverhalts wurden ohne nachfolgende weitere Abscheidung bei 1050

^∘C in Ammoniak getemperte Saphirwafer und eine unbehandelte Probe mit ERD quantitativ untersucht. Während auf der unbehandelten Saphiroberfläche weniger als 10¹⁴ at/cm² zu finden sind, befinden sich auf der in NH₃ geheizten Probe eine 1.5 nm dicke Stickstoffbelegung mit insgesamt 9 × 10¹⁵ at/cm².