Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 2: Poster I

HL 2.132: Poster

Montag, 23. März 1998, 10:30–19:00, A

Beitrag von Oberflächen zur linear-optischen Antwort — •U. Rossow¹, D.E. Aspnes² und L. Mantese² — ¹TU Ilmenau, Inst. f. Physik, Pf. 100565, 98684 Ilmenau — ²NCSU, Phys. Dept., Raleigh, USA

Zur Bestimmung des Oberflächenbeitrages zur optischen Antwort werden verschiedene optische Methoden insbesondere die spektroskopische Ellipsometrie und die neuere Reflectance-Difference-Spectroscopy (RDS/ RAS) herangezogen. Beide Methoden werden intensiv genutzt um Oberflächenprozesse wie epitaktisches Wachstum und Ätzen zu überwachen. Ein auf der elektronische Struktur basierendes Verständnis der gemessenen Spektren ist aber noch nicht erreicht worden. In vielen Fällen finden wir, daß die gemessenen RDS Spektren Linienformen aufweisen, die sich von der dielektrischen Funktion des Volumens ableiten lassen. Das deutet darauf hin, daß man in diesen Fällen eine durch die Oberfläche modifizierte Volumenantwort beobachtet. Ein ähnliches Verhalten wurde auch mit Ellipsometrie festgestellt. Dabei können diese RDS Spektren nur so erklärt werden, daß sowohl Vielteilcheneffekte als auch Lokalisierungseffekte der angeregten Ladungsträger berücksichtigt werden müssen.

Zusätzlich beobachtet man in einigen Fällen spektrale Strukturen, die von Oberflächenzuständen herzurühren scheinen.