Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 2: Poster I

HL 2.137: Poster

Montag, 23. März 1998, 10:30–19:00, A

Aktivierung von fokussiert implantiertem Gallium in Silizium durch schnelles thermisches Ausheilen — •Jean-Bernard Bukow, Christian Crell und Andreas Dirk Wieck — Lehrstuhl für Angewandte Festkörperphysik, Ruhr-Universität-Bochum, Universitätsstraße 150, D-44780 Bochum

Untersucht wird die Wirkung eines schnellen thermischen Ausheilschritts (RTA) auf die Aktivierung von p-dotierendem, fokussiert implantiertem (Fokusdurchmesser 100 nm) 100 keV- Gallium in Standard-(100)-Silizium und vertikal oxidisoliertem SIMOX-Silizium. Die in Hall-Messungen bestimmte Löcherkonzentration der flächig implantierten SIMOX-Proben nimmt mit zunehmender Ausheiltemperatur (650 ^oC - 850 ^oC) ab. Bei der Durchbruchspannung lateral erzeugter npn-Übergänge auf beiden Materialien für verschiedene Temperbedingungen (550 ^oC - 950  ^oC, 10 s) zeigt sich, daß die höchste Durchbruchspannung bei einer Temperatur von 550 ^oC errei cht wird. Darüber nimmt die Durchbruchspannung ab. Grund für die Abnahme der Galliumaktivierung bei zunehmender Temperatur könnte die Anlagerung und Reaktion des implantierten Galliums mit dem im Silizium vorhandenen Sauerstoff sein. Ein Indiz hierfür ist die höhere Schwellendosis zur Erzeugung eines npn-Übergangs im sauerstoffreicheren SIMOX-Material im Vergleich zum Standard-(100)-Silizium.