Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 2: Poster I

HL 2.138: Poster

Montag, 23. März 1998, 10:30–19:00, A

Niederenergetische Wasserstoffpassivierung von Verbindungshalbleitern — •Michael Röhricht¹, Karsten Otte¹, Gerd Lippold², Axel Schindler¹ und Frieder Bigl¹ — ¹Institut für Oberflächenmodifizierung, Permoserstr. 15, 04318 Leipzig — ²Universität Leipzig, Fakultät für Physik und Geowissenschaften, Linnestr. 3-5, 04103 Leipzig

Wir haben den Einfluß der Wasserstoff-Passivierung auf hochdotierte Verbindungshalbleiter untersucht. Der Wasserstoff wurde durch eine Kombination von Niederenergie-Implantation (<1keV) bei niedrigen Stromdichten (<50µA/cm²) und Erhöhung der Substrattemperatur (100-300^∘C) in den Halbleiter eingebracht. Auf diese Weise wirkt das Implantationsgebiet als Diffusionsquelle. Mit dieser Methode war es möglich, den Wasserstoff in die ganze Epitaxieschicht schädigungsfrei einzubringen. Ramanmessungen an GaAs und InP zeigen, das keine zusätzlichen Schäden an der Oberfläche erzeugt wurden. Hall-Messungen an denselben Proben zeigen eine Verringerung der Ladungsträgerkonzentration und eine Vergrößerung der Beweglichkeit.