Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 2: Poster I

HL 2.141: Poster

Montag, 23. März 1998, 10:30–19:00, A

Defekt-induzierte Degradation in Czochralski-Silizium — •S. Rein, S.W. Glunz, J. Knobloch und W. Warta — Fraunhofer Institut für Solare Energiesysteme, Oltmannsstr.5, 79100 Freiburg

In Solarzellen aus Bor dotiertem Cz-Silizium tritt ein Degradations-Effekt auf, bei dem die Injektion von Ladungsträgern durch Beleuchtung oder Anlegen eines Stromes zu einer exponentiellen Abnahme der Volumenlebensdauer führt. Mit zunehmender Bordotierung wird hierbei eine zunehmende Degradation der Volumenlebensdauer beobachtet. Der zugrundeliegende Umlagerungsprozeß ist vollständig reversibel, wobei sich der durch hohe Volumenlebensdauern gekennzeichnete Ausgangszustand durch eine Nieder-Temperatur-Behandlung ( T ≥ 200^∘C ) der Proben wiederherstellen läßt. Dieses Phänomen ist insofern von praktischer Bedeutung, als in typischem Cz-Silizium für Solarzellen ( ρ = 0.8 Ω cm ) die Schwankungen der Volumenlebensdauer von 40 % immerhin zu V _OC -Schwankungen von 4 % führen. Für diesen Effekt wurde als Modell ein Zwei-Zustands-System vorgeschlagen, das die Erniedrigung der Lebensdauer mit der Bildung von interstitiellen Bor-Sauerstoff-Paaren erklärt. In der vorliegenden Arbeit wird die Degradation von Cz-Silizium an Hand von Messungen der Lebensdauer und Solarzellenparameter untersucht. Die Ergebnisse sollen mit dem vorgestellten Modell verglichen werden.