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HL: Halbleiterphysik

HL 2: Poster I

HL 2.16: Poster

Montag, 23. März 1998, 10:30–19:00, A

Bandkantennahe Photolumineszenz von MBE-GaN-Schichten auf Saphirsubstrat: (D⁰,X)- und (D⁰,A⁰)-Übergänge — •Michael Körbl¹, Klaus Kornitzer¹, Klaus Thonke¹, Rolf Sauer¹, Markus Mayer² und Markus Kamp² — ¹Abteilung Halbleiterphysik, Universität Ulm — ²Abteilung Optoelektronik, Universität Ulm

Die Photolumineszenz nominell undotierter (d.h. schwach n-leitender) MBE-gewachsener GaN-Schichten zeigt im Bereich zwischen 3,18 eV und 3,44 eV probenabhängig Defekt-induzierte Emissionslinien, die teilweise als Donator-Akzeptor-Paarübergänge identifiziert werden konnten, da ihre Intensität bei höheren Temperaturen auf Kosten von Band-Akzeptor-Übergängen abnimmt. Für die Energien der beteiligten Akzeptoren lassen sich mit Hilfe der temperatur- und leistungsabhängigen Messungen Werte von 113 meV, 270 meV bzw. 310 meV abschätzen. Die dafür benötigte Bandlückenenergie wird aus den PL-Linien gebundener Exzitonen ((D⁰,X), (A⁰,X)) und freier Exzitonen (FE_A) bei Temperaturen zwischen 4 K und 70 K bestimmt.