Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 2: Poster I

HL 2.17: Poster

Montag, 23. März 1998, 10:30–19:00, A

Oxidation von GaN(0001)-Oberflächen bei Zimmertemperatur — •O. Janzen, Ch. Hahn und W. Mönch — Laboratorium für Festkörperphysik, Gerhard-Mercator-Universität Duisburg,
D-47048 Duisburg

Das Oxidationsverhalten von GaN(0001)-Oberflächen bei Zimmertemperatur wurde mit AES, LEED, UPS und CPD untersucht. Die Proben wurden zunächst einer naßchemischen Präparation mit Flußsäure unterzogen. Im UHV wurden sie mit Ga bedampft und durch anschließendes Heizen gereinigt. LEED-Untersuchungen zeigten eine (1×1)-Struktur mit Anzeichen einer Facettierung. Diesen GaN(0001)-Oberflächen wurde molekularer Sauerstoff im Bereich von 0.3 bis 10¹⁵ Langmuir (L) angeboten. Die mit AES gemessenen Aufnahmekurven zeigen einen steilen Anstieg im Bereich von 0.3 - 10² L. Ab 10³ L bleibt das Intensitätsverhältnis von O(KLL) zu Ga(LMM) konstant, einer Bedeckung von etwa 0.35 ML entsprechend. Erst ab 10⁹ L zeigt sich ein weiterer Anstieg, wobei die höchste Bedeckung nach 10¹⁵ L O₂ etwa 0.7 ML beträgt. Die UPS- und CPD-Messungen ergeben einen Anstieg der Ionisierungsenergie und der Austrittsarbeit mit steigender Sauerstoffbedeckung. Des weiteren zeigen die UP-Spektren den Abbau eines Oberflächenzustandes oberhalb des Valenzbandmaximums durch die Adsorption von Sauerstoff.