Regensburg 1998 – scientific programme
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HL: Halbleiterphysik
HL 2: Poster I
HL 2.20: Poster
Monday, March 23, 1998, 10:30–19:00, A
Korrelation optischer und elektrischer Eigenschaften von GaN — •Michael Topf, Dirk Meister, Ingo Dirnstorfer, Friedrich Kurth und Bruno K. Meyer — I. Physikalisches Institut, Justus-Liebig-Universität Gießen, 35392 Gießen
Wir berichten über die Korrelation zwischen elektrischen und optischen Eigenschaften von Galliumnitrid-Schichten (GaN), die epitaktisch mittels Niederdruck-Gasphasen-Epitaxie (LPCVD) unter Verwendung der Vorstufen Gallium(III)chlorid und Ammoniak hergestellt werden.
Alle hier untersuchten Proben zeigen eine hohe Hintergrunddotierung von n = 1018 bis 5 x 1019 cm−3. Es wird gezeigt, daß die Breite der bandkantennahen Lumineszenz wesentlich durch die Konzentration der freien Ladungsträger bestimmt ist. Neben der Halbwertsbreite wird die Linienform der bandkantennahen Tieftemperatur Photolumineszenz in Abhängigkeit der Ladungsträger-Konzentration n erklärt.
Aus dem Zusammenhang zwischen Hall-Beweglichkeit und Konzentration der freien Ladungsträger können wir auf ein Kompensations-Verhältnis von NA/ND = 0,8 schließen.