Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 2: Poster I

HL 2.24: Poster

Montag, 23. März 1998, 10:30–19:00, A

Kristalline und elektronische Eigenschaften von GaN-Filmen, gewachsen mittels LIMBE — •Michael Gross¹, Gudrun Henn¹, Jürgen Ziegler¹, Helmut Schröeder¹, Nicolai Wieser¹, Manfred Klose¹ und Fritz Phillipp² — ¹DLR, Institut für Technische Physik, Pfaffenwaldring 38-40, D-70569 Stuttgart — ²MPI füer Metallforschung, Heisenbergstr. 1, D-70569 Stuttgart

GaN-Filme mit Schichtdicken zwischen 300 und 1000 nm wurden mittels laserinduzierter MBE (LIMBE) gewachsen. Als Substratmaterial wurde Saphir (0001) und SiC (0001) verwendet. Die Filme wurden hinsichtlich ihrer Kristallinität mittels electron channeling pattern (ECP), HR-XRD, AFM und TEM untersucht. Besonderes Augenmerk galt dabei dem Einfluß des Substratmaterials sowie der Substratvorbehandlung auf die Filmqualität. Die Charakterisierung der elektronischen Eigenschaften erfolgte durch Hall- und PL-Messungen.