Regensburg 1998 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 2: Poster I

HL 2.25: Poster

Monday, March 23, 1998, 10:30–19:00, A

Exakte Wachstumskontrolle bei MBE Wachstum von c-GaN — •B. Schöttker, J. Kühler, D. Schikora, D.J. As und K. Lischka — Universität GH Paderborn, FB6 Physik, 33095 Paderborn

Für die in-situ Wachstumskontrolle von kubischen GaN auf (001) GaAs-Substraten dient die Beobachtung der Oberflächenrekonstruktion mittels Reflection High Energy Electron Diffraction (RHEED). Hierbei wird im speziellen der Phasenübergang von der c(2× 2) zur (2× 2) Rekonstruktion bei Wachstumsunterbrechung durch schließen des Substratshutters beobachtet. Die Zeitdauer bis die RHEED-Intensität des Half-Order-Streaks (I_HOS) im [-110] oder [110] Azimuth nach schließen des Substratshutters ansteigt, wird zur Messung des Ga-Überschusses auf der Wachstumsoberfläche verwendet. Durchgeführte Simulationsrechnungen bestätigen dieses epitaktische MBE Wachstumverhalten. Die hier vorgestellte Methode erlaubt es, optimale Wachstumsbedingungen zur Herstellung von homogenen kubischen GaN-Schichten mit minimaler Dichte von Mikrokristalliten (1,2* 10⁴ Defekte/cm²) zu erreichen.