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HL: Halbleiterphysik

HL 2: Poster I

HL 2.26: Poster

Montag, 23. März 1998, 10:30–19:00, A

Widerstands- und Halleffektuntersuchungen von Transmutationsdotierungen in hexagonalem n-GaN — •C. v. Nathusius, R. Vianden und K. Freitag — Institut für Strahlen und Kernphysik, Universität Bonn, Nußallee 14–16, 53115 Bonn

GaN ist ein inzwischen standardmäßig für optoelektronische Anwendungen verwendeter Werkstoff. Der Einsatzbereich vergrößert sich ständig. Die Dotierung des GaN wird aber vor allem während des Kristallwachstums vorgenommen.
Um das Verhalten dieses Halbleiters nach Ionenimplantation zu untersuchen, werden radioaktive Isotope in hexagonales n-GaN implantiert. Nachdem die Probe thermisch ausgeheilt ist, werden mittels Hall- und van der Pauw-Messungen die elektrischen Eigenschaften gemessen. Der Übergang vom Mutter- zum Tochterkern – z.B. vom Isotop ¹¹¹In zu ¹¹¹Cd – kann beobachtbare Änderungen im elektrischen Verhalten des Halbleiters bewirken. Daraus können dann wieder Rückschlüsse auf den Einbau des Störatoms oder den Ausheilungsprozeß gezogen werden. (gefördert durch das BMBF MA 06.06 K)