Regensburg 1998 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 2: Poster I

HL 2.27: Poster

Monday, March 23, 1998, 10:30–19:00, A

Herstellung und Charakterisierung von β-(Ga,In)N auf
GaN/GaAs(001)-Schichtstrukturen — •T. Frey¹, T. Simonsmeier², U. Köhler², B. Schöttker², C. Wang², D.J. As², D. Schikora² und K. Lischka² — ¹Universität GH Paderborn, FB6 Physik, 33095 Paderborn — ²Pb

Es wurden mittels plasmaunterstützter Molekularstrahlepitaxie kubische GaN-Schichten auf GaAs(001) abgeschieden und die Wachstumsparameter hinsichtlich GaN-Keimbidung und Schichtwachstum optimiert. Unter stöchiometrischen Bedingungen hergestellte GaN-Schichten zeigen dabei im PL-Spektrum einen dominierenden exzitonischen Übergang mit einer FWHM von ca. 20meV. Auf diesen Pufferschichten wurde kubisches (Ga,In)N mit variablem In-Gehalt hergestellt. Die Gitterkonstante von kubischem InN konnte mittels RHEED zu 0,504nm (a_GaN=0,452nm) ermittelt werden. Der In-Gehalt der Schichten wurde mit quantitativen EDX- und HRXRD- ermittelt. Lumineszenzspektren dieser Mischkristalle werden von einer Emissionslinie mit einer FWHM von ca. 200-500meV dominiert. Darauf aufbauend wurden erste GaN/(Ga,In)N-Doppelheterostrukturen hergestellt und ihre optischen und strukturellen Eigenschaften untersucht