Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 2: Poster I

HL 2.28: Poster

Montag, 23. März 1998, 10:30–19:00, A

Kompensationseffekte in Mg–dotiertem GaN — •U. von Gfug¹, L. Eckey¹, J. Holst¹, A. Hoffmann¹, B. Schineller², K. Heime², M. Heuken³, O. Schön³ und R. Beccard³ — ¹Institut für Festkörperphysik, TU Berlin, Hardenbergstr. 36, 10623 Berlin — ²Institut für Halbleiterphysik, RWTH Aachen — ³AIXTRON GmbH, 52072 Aachen

Mit Hilfe von Tieftemperatur–Photolumineszenz wird die Kompensation in Mg–dotiertem GaN untersucht. Dazu stehen uns GaN:Mg–Proben mit unterschiedlicher Dotierung und Leitfähigkeit zur Verfügung.
Die Messungen zeigen, daß der Kompensationsmechanismus mit der Dotierung direkt korreliert ist. In intensitätsabhängigen Untersuchungen werden drei tiefe Donatorniveaus 240, 350 und 850 meV unterhalb des Leitungsbandes gefunden. Diese sind für das Auftreten von breiten, unstrukturierten Donator–Akzeptor–Paarbanden verantwortlich.