Regensburg 1998 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 2: Poster I

HL 2.30: Poster

Monday, March 23, 1998, 10:30–19:00, A

Raman–Streuung an Defekten in GaN — •A. Kaschner¹, H. Siegle¹, A. Hoffmann¹, C. Thomsen¹, B. Schöttker², D. J. As², D. Schikora², S. Einfeldt³ und D. Hommel³ — ¹Institut für Festkörperphysik, TU Berlin, Hardenbergstr. 36, D-10623 Berlin — ²Institut für Optoelektronik, Univ. Paderborn, Warburgerstr. 100, D-33095 Paderborn — ³Institut für Festkörperphysik, Univ. Bremen,=20 Kufsteiner Str. NW 1, D-28359 Bremen

Wir präsentieren Ergebnisse von Raman-Streuexperimenten an GaN-Schichten, die mit MBE auf GaAs- und Al₂O₃-Substraten abgeschieden wurden. Im niederenergetischen Bereich von 95 cm⁻¹ bis 250 cm⁻¹ treten neben den Wirtsphononen von GaN und den Substraten weitere Raman-Linien auf [1, 2], die von Defekten herrühren. Die Intensit=84t dieser Linien nimmt mit steigender Temperatur stark ab. Zusätzlich zur Untersuchung der=20 Temperaturabhängigkeit haben wir das Resonanzverhalten bestimmt. Alle Moden besitzen ein breites Anregungsprofil, wobei die Lage des Resonanzmaximums mit der Temperatur verschiebt. Wir führten=20 darüberhinaus ortsaufgelöste Mikro-Raman-Messungen, sowie Messungen unter hohen Drücken (bis 6 GPa) und unter hohen Magnetfeldern (bis 12 T) durch. Damit konnten wir Informationen über den ursächlichen Defekttyp gewinnen.

[1] M. Ramsteiner et al., Appl. Phys. Lett. 69, 1276 (1996)

[2] H. Siegle et al., Appl. Phys. Lett. 70, 909 (1997)