Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 2: Poster I
HL 2.33: Poster
Montag, 23. März 1998, 10:30–19:00, A
Selbstenergiekorrigierte optische Eigenschaften von Gruppe III Nitridverbindungshalbleitern — •G.C. Rohr und M.S.K. Fuchs — Institut für Technische Physik, Deutsches Zentrum für Luft und Raumfahrt (DLR), Pfaffenwaldring 38 - 40, D-70569 Stuttgart
Es werden Ergebnisse aus ab-initio Pseudopotentialrechnungen der
elektronischen
und optischen Eigenschaften der Gruppe III - Nitridhalbleiter
präsentiert. Ausgehend von DFT - LDA Rechnungen wurden
Selbstenergiekorrekturen der elektronischen Zustände im Rahmen
eines simplifizierten GW - Ansatzes berechnet. Um den Einfluß
der d - semicore Elektronen in GaN und InN
korrekt zu beschreiben, werden die Ga(3d) und In(4d)
Elektronen als Bandzustände behandelt und die Ergebnisse mit
Rechnungen unter Einbeziehung der sog. nonlinear core correction
(NLCC) verglichen.
Für die binären Nitride werden der Imaginärteil der
Dielektrischen Funktion є2 (ω) sowie die resultierenden
linearen optischen Größen ermittelt. Die für GaN unter Einbeziehung
der semicore Elektronen in die Bandzustände
gerechneten Spektren zeigen sehr gute Übereinstimmung mit Ergebnissen
aus FP-LMTO Rechnungen und dem Experiment.