Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 2: Poster I

HL 2.34: Poster

Montag, 23. März 1998, 10:30–19:00, A

Einfluß der Ga-3d-Elektronen auf Störstellen in GaN — •Uwe Gerstmann und Harald Overhof — Fachbereich Physik, Universität GH Paderborn, 33098 Paderborn

Wir haben die elektronische Struktur von Störstellen in kubischem GaN berechnet. Die Ab-initio Berechnungen erfolgten mit der Linear-Muffin-Tin Orbital Methode unter Zuhilfenahme der Atomic Spheres Approximation (LMTO-ASA) (1). Vielteilcheneffekte wurden mit Hilfe der lokalen Spindichte-Näherung im Rahmen der Dichtefunktionaltheorie berücksichtigt. Über eine Greenfunktionentechnik wurden Eigenstörstellen und solche durch 3d-Übergangangsmetalle sowohl auf den Gitterplätzen als auch im Zwischengitter betrachtet. Es zeigte sich insbesondere für die 3d-Übergangsmetalle, daß die Ga-3d-Elektronen nicht zu vernachlässigende Effekte hervorrufen falls sie als Valenzelektronen und nicht als Rumpfelektronen behandelt werden. Unsere Ergebnisse bestätigen dann die Gültigkeit des Modells von Ludwig und Woodbury [2], wenn man das Modell sinngemäß abwandelt.
(1) O.Gunnarsson, O.Jepsen and O.K.Andersen, Phys.Rev. B 27, 7144,(1983)
(2) G.Ludwig, H.H.Woodbury, Solid State Physics 13, 233,(1962)