Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 2: Poster I

HL 2.36: Poster

Montag, 23. März 1998, 10:30–19:00, A

Photoleitfähigkeitsmessungen an heteroepitaktisch gewachsenen GaN-Schichten — •Klaus Kornitzer¹, Michael Körbl¹, Markus Mayer², Klaus Thonke¹, Rolf Sauer¹, Markus Kamp² und Arthur Pelzmann² — ¹Abteilung Halbleiterphysik, Universität Ulm — ²Abteilung Optoelektronik, Universität Ulm

GaN-Schichten zeigen je nach Substratmaterial unterschiedlich starke Verspannungen, die eine Änderung der energetischen Bandlücke und der freien Exzitonenenergien verursachen. An heteroepitaktisch gewachsenen GaN-Schichten (2 µm - 12 µm) sind Absorptionsmessungen zum Nachweis dieser Effekte kaum möglich. Alternativ kann die Absorption an diesen Schichten über Photoleitfähigkeitsmessungen ermittelt werden. Ziel unserer Messungen ist die Bestimmung der freien A-, B- und C-Exzitonenenergien in GaN-Schichten auf Saphirsubstrat. Mit Hilfe von Simulationsrechnungen lassen sich an die gemessenen Spektren theoretische Absorptionsverläufe anpassen und damit die exzitonischen Übergangsenergien bestimmen. Die Simulationsrechnungen liefern zudem eine Abschätzung für die direkte Bandkante und die Exzitonenbindungsenergie.