Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 2: Poster I

HL 2.44: Poster

Montag, 23. März 1998, 10:30–19:00, A

Einfluss von thermischem Stress auf die DC- und niederfrequenten Rauscheigenschaften von UHB-LED’s — •T. Lieske, J. Berntgen und K. Heime — Institut für Halbleitertechnik, Lehrstuhl I, RWTH-Aachen, Templergraben 55, D-52056 Aachen

Untersucht wurde der Einfluss von thermischem Stress auf die DC- und niederfrequenten Rauscheigenschaften von kommerziellen AlGaInP auf GaAs Substrat mittels MOCVD gewachsenen UHB-LED’s. Die UHB-LED’s sind dafür in verschiedenen Zeitintervallen bei einer Temperatur von 400^∘C gestresst worden. Vor und nach jedem Temperschritt sind U-I-Kennlinien und niederfrequente Rauschspektren der UHB-LED’s aufgenommen worden. Um das DC-Verhalten während des Degradationsprozesses besser zu verstehen, wurde eine Diodensimulation entwickelt. Damit konnte festgestellt werden, dass mit zunehmender Degradation der Einfluss der nichtstrahlenden Rekombination ansteigt. Beim Vergleich von U–I–Kennlinien und niederfrequenten Rauschspektren konnte ein deutlicherer Anstieg der Rauschleistung beobachtet werden. Die Ursachen der Degradation werden diskutiert.