Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 2: Poster I

HL 2.47: Poster

Montag, 23. März 1998, 10:30–19:00, A

Frühstadien des Wachstums von ZnTe Epitaxieschichten auf (100)- und (111)-GaAs Substraten — •A. Wurl¹, A. Rosenauer¹, D. Gerthsen¹, B. Hahn² und W. Gebhardt² — ¹Laboratorium für Elektronenmikroskopie, Universität Karlsruhe, Kaiserstr. 12, D-76128 Karlsruhe — ²Institut für Experimentelle und Angewandte Physik, Universität Regensburg, D-93053 Regensburg

Der Anwachsprozeß von MOVPE ZnTe Schichten auf GaAs(100) und (111) wird mit der Transmissionselektronenmikroskopie (TEM) untersucht. Diese liefert Informationen über Struktur und Relaxation der
Schichten, die eine Fehlanpassung von -7,5% aufweisen. Die nominellen Schichtdicken liegen zwischen 2 und 20 nm. Die Proben sind ab einer Dicke von 10 nm durch den Einbau von Versetzungen in die Grenzfläche vollständig relaxiert. Auf den Substraten mit (100)-Orientierung bilden sich ab einer nominellen Dicke von 5 nm Inselstrukturen heraus. Diese wachsen bei größerer Schichtdicke zu einer durchgängigen Schicht zusammen. Querschnittsaufnahmen der Schichten mit (111)-Oberflächenorientierung zeigen Inselstrukturen mit einer Ausdehnung von 8 - 15 nm auf einer zweidimensionalen Benetzungsschicht, deren Dicke von der nominellen Schichtdicke abhängt. Die Kristallstruktur der Inseln weicht von der Zinkblendestruktur ab. Die HRTEM-Kontrastmuster und Feinbereichsbeugungsbilder der Inseln weisen auf zwei verschiedene ZnTe-Überstukturen hin.