Regensburg 1998 – scientific programme
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HL: Halbleiterphysik
HL 2: Poster I
HL 2.48: Poster
Monday, March 23, 1998, 10:30–19:00, A
Wasserstoff Einbau und Effusion aus MOVPE-ZnSe — •B. Hahn1, H. Preis1, W. Gebhardt1, J. Krause2 und U. Blieske2 — 1Institut für Festkörperphysik,Universität Regensburg — 2Hahn-Meitner Institut Berlin
Ein bisher ungelöstes Problem bei der Herstellung von II-VI- Halbleitern für optoelektronische Anwendungen mit MOVPE ist die Wasserstoffpassivierung flacher Akzeptoren. Zur Aktivierung ist ein ex situ Temperschritt nötig. Wir untersuchten die Wasserstoffeffusionskinetik aus MOVPE-ZnSe Schichten durch die Messung von Effusionstransienten mit linearen Heizrampen in einem UHV-Rezipienten.
Zusätzlich wurde der Einbau von Wasserstoff mittels NRA (Nuclear Reaction Analysis)- Tiefenprofilen studiert. Die Versuche zeigen ein Abhängigkeiten der Wasserstoffkonzentration in den ZnSe Schichten von Wachstumstemperatur, Stöchiometrie und verwendeten MOVPE-Precursoren. Durch die geeignete Wahl der Wachstumsparameter kann der Wasserstoffgehalt der Schichten über mehrere Größenordnungen variiert werden.