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Regensburg 1998 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 2: Poster I

HL 2.4: Poster

Monday, March 23, 1998, 10:30–19:00, A

Magnetotransport im parallelen Feld an überwachsenen GaAs/ AlGaAs-Heterostrukturen — •A. Nauen1, H.W. Schumacher1, R.J. Haug1, M. Dilger2 und K. Eberl21Institut für Festkörperphysik, Universität Hannover, Appelstr. 2, 30167 Hannover — 2Max-Planck-Institut für Festkörperforschung, Heisenberstr. 1, 70569 Stuttgart

Durch Aufwachsen einer GaAs/AlGaAs-Heterostruktur auf einem vorstrukturierten Substrat ist es möglich, dem sich im GaAs/AlGaAs-System bildenden zweidimensionalen Elektronengas (2DEG) eine zusätzliche räumliche Struktur aufzuprägen [1]. Mit Hilfe von Magnetotransportmessungen kann der Einfluß dieser Vorstrukturierung auf die elektronischen Eigenschaften des 2DEG untersucht werden [2]. Für unsere Messungen wurden Standard-Hallgeometrien vor dem Überwachsen mit ca. 260 nm tiefen und 1 µm breiten Gräben versehen und das 2DEG auf diese Weise grabenförmig moduliert. Um die Auswirkungen der räumlichen Modulation des 2DEG sichtbar zu machen, wurden auf demselben Wafer unstrukturierte Referenzproben präpariert und unter identischen Bedingungen vermessen. Der Einfluß der Gräben auf den longitudinalen Magnetowiderstand Rxx zeigt sich vor allem in Messungen im parallelen Feld.
Es werden Messungen von Rxx bei verschiedenen Ladungsträgerkonzentrationen und Temperaturen vorgestellt.

[1] M. Dilger et. al., Appl. Phys. Lett. 68 22 (1996)

[2] M. L. Leadbeater et. al  Phys. Rev. B 52 R8229 (1995)

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