Regensburg 1998 – scientific programme
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HL: Halbleiterphysik
HL 2: Poster I
HL 2.4: Poster
Monday, March 23, 1998, 10:30–19:00, A
Magnetotransport im parallelen Feld an überwachsenen GaAs/ AlGaAs-Heterostrukturen — •A. Nauen1, H.W. Schumacher1, R.J. Haug1, M. Dilger2 und K. Eberl2 — 1Institut für Festkörperphysik, Universität Hannover, Appelstr. 2, 30167 Hannover — 2Max-Planck-Institut für Festkörperforschung, Heisenberstr. 1, 70569 Stuttgart
Durch Aufwachsen einer GaAs/AlGaAs-Heterostruktur auf einem vorstrukturierten
Substrat ist es möglich, dem sich im GaAs/AlGaAs-System
bildenden zweidimensionalen Elektronengas (2DEG) eine zusätzliche
räumliche Struktur aufzuprägen [1].
Mit Hilfe von Magnetotransportmessungen kann
der Einfluß
dieser Vorstrukturierung auf die elektronischen Eigenschaften des 2DEG untersucht werden [2].
Für unsere Messungen wurden Standard-Hallgeometrien vor dem Überwachsen mit
ca. 260 nm tiefen und 1 µm breiten Gräben versehen und das 2DEG auf diese Weise
grabenförmig moduliert.
Um die Auswirkungen der räumlichen Modulation des 2DEG sichtbar zu machen, wurden auf demselben Wafer unstrukturierte Referenzproben präpariert und unter identischen Bedingungen vermessen.
Der Einfluß der Gräben auf den longitudinalen Magnetowiderstand Rxx
zeigt sich vor allem in Messungen im parallelen Feld.
Es werden Messungen von Rxx bei verschiedenen Ladungsträgerkonzentrationen und
Temperaturen vorgestellt.
[1] M. Dilger et. al., Appl. Phys. Lett. 68 22 (1996)
[2] M. L. Leadbeater et. al Phys. Rev. B 52 R8229 (1995)