Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 2: Poster I

HL 2.52: Poster

Montag, 23. März 1998, 10:30–19:00, A

Vanadium in CdTe und Cd(Zn)Te — •A. Schwarz¹, D. M. Hofmann¹, F. K. Henecker¹, A. Hofstaetter¹, B. K. Meyer¹ und S. I. Nikitin² — ¹I. Physikalisches Institut der Justus Liebig Universität Giessen, Heinrich-Buff-Ring 16, 35392 Giessen — ²State University Kazan, Kazan, Rußland

Vanadium-dotiertes CdTe zeigt augeprägte photo-refraktive Effekte im nahen Infrarot (1-1,5 µm). Dies erlaubt die Realisierung von optischen Verstärkern und Schaltern in dem für die Glasfasertechnologie interessanten Spektralbereich. Paramagnetische Elektronen-Resonanz-Untersuchungen (EPR) zeigen die Präsenz von Vanadium in den Ladungsstufen V²⁺ und V³⁺. Die Beobachtbarkeit beider Zentren hängt kritisch von der Konzentration residuärer Akzeptoren und Verunreinigungen ab. Sowohl V²⁺ als auch V³⁺ zeigen interne Absorptionen im Spektralbereich 0.8 -1.4 eV. Die V²⁺- und V³⁺-Konzentrationen wurden an bauelement-relevanten Kristallen bestimmt und mit den optischen Eigenschaften des Materials korreliert. Photo-EPR-Untersuchungen erlauben Aussagen über die energetische Lage der Vanadium-Umladungsstufe.