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HL: Halbleiterphysik

HL 2: Poster I

HL 2.58: Poster

Montag, 23. März 1998, 10:30–19:00, A

Kubische CdS/ZnS-Quantentrogstrukturen — •M. Grün¹, M. Hetterich¹, Ch. Märkle¹, W. Petri¹, U. Woggon¹, C. Klingshirn¹, A. Wurl², U. Fischer², A. Rosenauer², D. Gerthsen², T. Kümmell³, G. Bacher³ und A. Forchel³ — ¹Institut für Angewandte Physik, Universität Karlsruhe, D–76128 Karlsruhe — ²Laboratorium für Elektronenmikroskopie, Universität Karlsruhe, D–76128 Karlsruhe — ³Institut für Technische Physik, Universität Würzburg, D–97074 Würzburg.

Wir berichten über die Compound-Source-MBE von hochverspannten CdS/ZnS-QW-Strukturen. Als kritische Schichtdicke für CdS/ZnS liefern RHEED-, TEM- und optische Untersuchungen einen Wert von 3 ML. Die Beobachtung von RHEED-Streifen und Gitterparameteroszillationen bei der CdS-Deposition deuten auf ein Quasi-2D-Wachstum hin, aber es tritt eine ausgeprägte elastische Verspannungsrelaxation durch atomare Aufrauhung der Wachstumsfront auf. Letztere resultiert in einer starken Ladungsträgerlokalisierung und damit in einer Quasi-0D-Zustandsdichte, die sich in der µ-PL durch diskrete Linien äußert. Der laterale Ladungsträgereinschluß zeigt sich auch in der Erhöhung der Exziton-Austauschaufspaltung mit zunehmender Lokalisierungstiefe (5-10 meV). Abgesehen von den Lokalisierungseffekten lassen sich die PL-Spektren durch ein Kronig-Penney-Modell unter Berücksichtigung exzitonischer Effekte effektiv beschreiben, obwohl für ultradünne QW die Envelope-Function-Approximation an ihre Grenzen stößt. Aus einem Fit an die experimentellen Daten ergibt sich die Bandanordnung im CdS/ZnS-System.