Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 2: Poster I
HL 2.59: Poster
Montag, 23. März 1998, 10:30–19:00, A
In situ Raman-Untersuchung von Schicht und Substrat beim MBE-Wachstum von ZnSe:N/GaAs(100) — •A. Schneider, G. Pr"osch, D. Drews, and D.R.T. Zahn — Institut f"ur Physik, Professur f"ur Halbleiterphysik, TU Chemnitz, D-09107 Chemnitz
Mittels in situ Ramanspektroskopie wurde das Molekularstrahlepitaxie(MBE)-Wachtum
von dotierten ZnSe:N/GaAs-Heterostrukturen
untersucht. Sowohl Informationen "uber die Schicht als auch
"uber das Substrat konnten
gewonnen werden, was sich als ein Vorteil gegen"uber anderen
oberflächensensitiven
Methoden erweist. Ramanshift und Halbwertsbreite der entsprechenden
Ramanmoden werden mit undotierten Schichten verglichen.
Das epitaktische Wachstum undotierter ZnSe-Schichten auf
GaAs(100) zeigt ein schichtdickenabh"angiges Verspannungsprofil
mit einer kritische Schichtdicke von 120 nm.
Dotierte Schichten hingegen zeigen ein ver"andertes Profil, wobei die
longitudinal optischen (LO) ZnSe-Moden ca. 3 cm−1 zu niedrigen
Energien verschoben sind. Die LO-Mode des GaAs-Substrats
schiebt f"ur dotierte Schichten schon bei geringer Bedeckung
von ZnSe zu h"oheren Wellenzahlen.
Stickstoffeinbau verursacht dort eine kompressive Verspannung.
Neben den Frequenzverschiebungen wurde ebenfalls
beobachtet, daß die ZnSe 2LO-Streuung bei den dotierten Schichten
aufgrund ver"anderte Resonanzbedingungen stark unterdr"uckt wird.
Anschließende Ramanresonanzmessungen best"atigen
diese Ver"anderung, die auf eine deutliche Verschlechterung der
Kristallinit"at zur"uckgef"uhrt wird.