Regensburg 1998 – scientific programme
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HL: Halbleiterphysik
HL 2: Poster I
HL 2.5: Poster
Monday, March 23, 1998, 10:30–19:00, A
Shubnikov-de Haas Oszillationen von Ionenstrahl-geschriebenen In-Plane-Gates auf Hallbarstrukturen — •C. Heidtkamp, S. Gargosch und A.D. Wieck — Lehrstuhl für Angewandte Festkörperphysik, Universitätsstraße 150, D-44780 Bochum
Mittels fokussierter Ionenstrahlen (FIB) werden 400 µ m lange in-plane-gates auf eine AlxGa1−xAs/GaAs-Hallbarstruktur implantiert. An diesen Proben werden bei 1.5 K und einem Magnetfeld bis zu 6 T Shubnikov-de Haas
Oszillationen (SdHO) mit Hilfe von Lock-In Technik gemessen.
Messungen der SdHO in Abhängigkeit der angelegten Gate-Spannung ergeben ein Anwachsen der Amplituden der SdHO mit positiver Gate-Spannung.
Zu denselben Ergebnissen kommen Haug et al. [1], allerdings bei einer niedrigeren Temperatur von 40 mK.
Eine mögliche Erklärung dieses Anwachsens der Amplituden mit positiver Gate Spannung ist die Bildung von Randkanälen (globale Zustände) aufgrund des Magnetfeldes, die durch die Verringerung der Abstände zu den durch die Implantation entstandenen Stre
uzentren mit zunehmender positiver Spannung stärker koppeln.
Es wird die Auswirkung einer Variation der Linienform des in-plane-gates auf die SdHO untersucht.
[1] R.J. Haug, A.D. Wieck, K. von Klitzing und K.Ploog, Physica B 184 192-196 (1993)