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HL: Halbleiterphysik

HL 2: Poster I

HL 2.61: Poster

Montag, 23. März 1998, 10:30–19:00, A

Einbau von Seltenen Erden in II-VI-Halbleiter beim MBE-Wachstum: Optische und EXAFS-Untersuchungen von ZnTe:Sm — •D. Wruck, R. Boyn, L. Parthier und F. Henneberger — Institut für Physik, Humboldt-Universität zu Berlin, Invalidenstr. 110, D-10115 Berlin

ZnTe:Sm-Schichten auf GaAs-Substraten wurden mit maximalen Sm-Konzentrationen von etwa 10²² cm⁻³ durch MBE hergestellt. Die optischen Absorptionsspektren der Schichten zeigen Banden bei 1.45 und 2.1 eV. Diese werden auf der Basis eines Vergleichs mit entsprechenden SmTe-Daten 4f⁶ → 4f⁵5d-Übergängen in Sm²⁺-Ionen auf Plätzen mit oktaedrischer Te-Koordination zugeordnet. Diese Zentren bilden sich offensichtlich während des MBE-Wachstums durch Modifikation von Zinkblende-Zwischengitterplätzen [1]. EXAFS-Untersuchungen an der Sm-L₃-Röntgenabsorptionskante, die am DESY (Hamburg) durchgeführt wurden, bestätigen das Auftreten dieses Einbaumechanismus und liefern einen Wert von etwa 3.1 A für den relevanten Sm-Te-Abstand. Darüber hinaus werden Zentren mit einer Bindungslänge von etwa 2.5 A beobachtet, bei denen es sich wahrscheinlich um Sm³⁺-O-Komplexe handelt.

[1] D. Wruck, R. Boyn, L. Parthier, F. Henneberger, Semic. Sci. Technol. 12, 179 (1997)