Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 2: Poster I
HL 2.62: Poster
Montag, 23. März 1998, 10:30–19:00, A
Photoelektronen-Spektroskopie von Chalkopyriten und auf Zn basierenden II–VI Halbleiter–Heterostrukturen — •M. Wörz, E. Pschorr-Schoberer, R. Flierl, T. Frey, H. Preis und W. Gebhardt — Universität Regensburg, Institut für Festkörperphysik, Universitätsstr. 31, D-93053 Regensburg
Es wurden CuInSe2–Oberflächen und die Grenzflächen ZnSe/CuInSe2 und ZnS/CuInSe2 mittels Photoelektronen–Spektroskopie untersucht, wobei Synchrotron-Strahlung des BESSY verwendet wurde. Die CuInSe2–Substrate wurden mit Wasserstoffplasma vorbereitet. Ihre Oberflächen besitzen hohe Qualität und sind für ein Überwachsen mit ZnSe zur Bestimmung des Valenzband–Offsets von ZnSe/Cu(In,Ga)Se2 geeignet.
An der Oberfläche von CuInSe2 wurden Se–Atome durch Te– oder S–Atome ersetzt, so daß CuInTe2– oder CuInS2–Oberflächen gebildet wurden. Die Valenzband–Offsets von CuInTe2/CuInSe2 und CuInS2/CuInSe2 wurden bestimmt zu Δ Evb(CuInTe2/CuInSe2)=3D (0.85± 0.05)eV und Δ Evb(CuInS2/CuInSe2)=3D (0.87± 0.05)eV. In guter Übereinstimmung mit der Literatur zeigt sich f=FCr alle Proben, daß Δ Evb(ZnSe/CuInSe2)=3D−(0.5± 0.1)eV ist. Weiterhin wurde die ZnS/CuInS2–Grenzfläche untersucht und der Wert Δ Evb(ZnS/CuInS2)=3D −(2.3± 0.1)eV als Valenzbandoffset erhalten.