Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 2: Poster I

HL 2.63: Poster

Montag, 23. März 1998, 10:30–19:00, A

Wachstum und optische Charakterisierung von ZnS/ZnS_xSe_1−x
Qantum-Well Strukturen — •B. Buda¹, T. Suermann², C. Wang², S. Schwedhelm², D.J. As², D. Schikora² und K Lischka² — ¹Universität GH Paderborn, FB6 Physik, 33095 Paderborn — ²Pb

Die Herstellung von Quantum-Well (QW)-Strukturen mit hohem Schwefelgehalt im ternären Mischkristallsystem Zn(S,Se) ist interessant für Emitter im blauen- und UV-Bereich. Die ZnS- und ZnS/ZnS_xSe_1−x-Epitaxieschichten wurden mittels MBE hergestellt. Das Wachstum wurde durch RHEED kontrolliert und mit Hilfe des Oberflächenphasendiagramms von ZnS optimiert. Die Wachstumsoberfläche der ZnS-Schichten zeigt eine (2×1) Rekonstruktion unter S-reichen und eine c(2×2) unter Zn-reichen Wachstumsbedingungen. Die Mischkristallzusammensetzung der QW-Strukturen wurde mit HRXRD bestimmt. Die QW-Strukturen bestehen aus einer ZnS-Barriere und einem ZnS/ZnS_xSe_1−x-QW (x=0.75) und wurden auf ZnS/GaAs(001 Substraten aufgewachsen. Die optische Charakterisierung der QW-Strukturen erfolgte mit Photo- und Kathodolumineszenz bei 2K bzw. 300K. Die Verschiebung der Emission aus dem QW zu höheren Energien im Vergleich zum Mischkristall gleicher Zusammensetzung kann durch die Quantisierung des Trogpotentials erklärt werden. Außerdem beobachtet man eine erhöhte Emission aus dem Trog.