Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 2: Poster I

HL 2.64: Poster

Montag, 23. März 1998, 10:30–19:00, A

Versetzungskonfiguration in CdTe-Einkristallen nach Mikrodeformation auf niedrigindizierten Oberflächen — •L. Höring und J. Schreiber — Martin-Luther-Universität Halle-Wittenberg, Fachbereich Physik, Experimentelle Physik V, Friedemann-Bach-Platz 6, D-06108 Halle/Saale

CdTe ist ein Basismaterial der II-VI-Halbleitertechnologie. Aufgrund der Duktilität des Materials können hohe Kristallbaufehlerdichten auftreten.

Untersuchungen mittels Katodolumineszenz-Mikroskopie im Rasterlektronenmikroskop bei Tieftemperaturen belegen das Auftreten einer nichtstrahlenden bzw. strahlenden Ladungsträgerrekombination an Cd(g)- und Te(g)-Gleitversetzungen in undotiertem p-CdTe.

Die unterschiedliche Lumineszenzwirksamkeit der polaren Versetzungen wird benutzt, um die Defektanordnung bei Mikrodeformation unter Punktlast auf ±(111)- und (110)-Oberflächen aufzuklären. Die durch Tangential- und tetraedrische Gleitung erzeugte Versetzungsverteilung wird nachgewiesen und erstmals durch ein erweitertes Gleitprismenmodell unter vereinfachter Berücksichtigung des Spannungszustandes für lokale Mikrodeformation abgeleitet.

Die experimentellen Ergebnisse weisen eine korrelierte Ausbreitung von A(g)- und B(g)-Versetzungen in den beobachteten <110> Gleitprismenstrukturen nach.