Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 2: Poster I

HL 2.69: Poster

Montag, 23. März 1998, 10:30–19:00, A

Epitaxie verschiedener SiC-Polytypen mittels MBE — •K. Pfennighaus¹, A. Fissel¹, G. Kipshidze¹, B. Schröter¹, U. Kaiser¹, J. Kräußlich², M. Wendt³ und W. Richter¹ — ¹Institut für Festkörperphysik, FSU Jena, Max–Wien–Platz 1, 07743 Jena — ²Institut für Optik und Quantenelektronik, FSU Jena — ³Institut für physikalische Hochtechnologie, PF100239, 07702 Jena

Mittels Feststoffquellen-MBE wurden SiC-Schichten verschiedener Polytypen auf 4H– und 6H–SiC (0001) on- und off-axis Substraten abgeschieden. Ziel der Untersuchungen war es zum einen, Bedingungen für eine definierte Keimbildung zu finden und zum anderen für ein stufenkontrolliertes Wachstum. Bei Substrattemperaturen von etwa 1000^∘C wurde unter allen Bedingungen auf allen Substratarten 3C–SiC bei hoher Übersättigung und somit hoher Keimdichte abgeschieden. Bei Temperaturen von etwa 1200^∘C, einer Wachstumsrate von 60nm/h und einem Siliziumfluß im Bereich des Gleichgewichtsdampfdruckes wurden Bedingungen für stufenkontrolliertes Wachstum sowohl auf 4H als auch auf 6H realisiert. Dies konnte selbst für Terrassenbreiten von bis zu 1µm erreicht werden. Mit zunehmender Erhöhung des Si-Flusses in bezug auf die Gleichgewichtsrate wurde auch bei diesen hohen Substrattemperaturen und unverändertem Kohlenstofffluß durch die eingeschränkte Beweglichkeit der Adatome Keimbildung erzielt und kubisches SiC erhalten.