Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 2: Poster I

HL 2.71: Poster

Montag, 23. März 1998, 10:30–19:00, A

Untersuchung der geometrischen und elektronischen Struktur von rekonstruierten 3C-SiC(001) Oberflächen mittels LEED und ARUPS — •M. Lübbe, K. Lindner und D.R.T. Zahn — Institut für Physik, Professur für Halbleiterphysik, TU Chemnitz, D-09107 Chemnitz

Die Oberflächenbandstruktur von kubischem (3C) Siliciumcarbid (SiC) wurde für verschiedene Oberflächenrekonstruktionen mittels winkelaufgelöster Photoelektronenspektroskopie (ARUPS) bestimmt. Die Oberflächenpräparation erfolgte durch Tempern der Probe im Siliciumfluß. Auf diese Weise konnten auf der auf fehlorientiertem Si-Substrat gewachsenen SiC-Schicht eindomänige Oberflächen präpariert werden. Die geometrische Struktur der so präparierten, unterschiedlich rekonstruierten Oberflächen wurde mittels Beugung niederenergetischer Elektronen (LEED) überprüft. Die so gewonnenen Ergebnisse unterstützen das sogenannte „added dimer row model“ für die geometrische Struktur der (3x2)-rekonstruierten Oberfläche. In den Experimenten zur Photoelektronenspektroskopie wurden spektrale Charakteristika gefunden, die der Oberfläche des SiC zugeordnet werden können. Ihre Dispersion wurde in zwei orthogonalen Richtungen des reziproken Raumes bestimmt. Auf diese Weise können Oberflächenzustände und Oberflächenresonanzen anhand ihrer Lage bezüglich der projezierten Volumenbandstruktur unterschieden werden.